CRF等離子蝕刻機(jī)ICP蝕刻技術(shù)應(yīng)用廣泛SiC刻蝕應(yīng)用：
         反應(yīng)燒結(jié)碳化硅(RB-SiC)是一種新型陶瓷材料，其具有性能好、比剛度高、導(dǎo)熱性大、膨脹系數(shù)小的特點(diǎn).隨著光學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，光學(xué)系統(tǒng)正朝著大口徑、低損耗和輕量化的方向發(fā)展，光學(xué)元件具有高分辨率、廣闊的視野和高質(zhì)量的表面形態(tài)RB-SiC因其優(yōu)越的性能，材料獲得了廣泛應(yīng)用，這會(huì)對(duì)材料表面的光學(xué)質(zhì)量提出了更高的要求。目前，加工工藝目前正在加工SiC有許多方法，主要包含電化學(xué)腐蝕、機(jī)械加工、超聲波加工、激光蝕刻和等離子體干燥蝕刻。等離子體蝕刻機(jī)的干蝕技術(shù)主要包含反應(yīng)離子蝕刻(RIE)，電子回旋共振(ECR)感應(yīng)耦合等離子體(ICP)等。ICP蝕刻設(shè)備具有選擇性和各向異性結(jié)構(gòu)，操作簡(jiǎn)單，控制方便，因此，ICP蝕刻技術(shù)應(yīng)用廣泛SiC蝕刻應(yīng)用。

       CRF等離子蝕刻機(jī)ICP主要采用蝕刻技術(shù)SiC半導(dǎo)體器件和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的加工制作，等離子蝕刻機(jī)刻蝕表面質(zhì)量，提升SiC微波功率器件的性能質(zhì)量。ICP蝕刻技術(shù)完整的蝕刻過程可分為三個(gè)步驟：①吸附蝕刻材料；②形成揮發(fā)物；③解吸附。它包括兩個(gè)過程：化學(xué)和物理：在化學(xué)過程中，蝕刻氣體通過電感耦合產(chǎn)生活性基、亞穩(wěn)態(tài)粒子和電子，中性粒子擴(kuò)散到基底表面，與蝕刻材料表面的原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)。這些副產(chǎn)品被真空系統(tǒng)從腔室中提取，以實(shí)現(xiàn)氣體化學(xué)蝕刻。