電漿清洗機CMOS工藝中應用于集成電路制造中WAT方法研究：
        WAT即硅圓片接收測試，就是在半導體硅片完成所有的制程工藝后，對硅圓片上的各種測試結構進行電性測試，它是反映產品質量的一種手段，是產品入庫前進行的一道質量檢驗。
        伴隨著半導體技術的發展，等離子體工藝已廣泛應用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會引入等離子體損傷，而常規的WAT結構無法監測，可能導致器件的早期失效。等離子體工藝廣泛應用于集成電路制造中，比如等離子體刻蝕、電漿清洗機增強式化學氣相淀積、離子注入等。它具有方向性好、反應快、溫度低.均勻性好等優點。

        但是它也同時帶來了電荷損傷，隨著柵氧化層厚度的不斷降低，這種損傷會越來越影響到MOS器件的可靠性，因為它可以影響氧化層中的固定電荷密度、界面態密度、平帶電壓、漏電流等參數。帶天線器件結構的大面積離子收集區(多晶或金屬)一般位于厚的場氧之上，因此只需要考慮薄柵氧上的隧道電流效應。大面積的收集區稱為天線，帶天線器件的隧道電流放大倍數等于厚場氧上的收集區面積與柵氧區面積之比，稱為天線比。
        如果柵氧區較小，而柵極面積較大，大面積柵極收集到的離子將流向小面積的柵氧區，為了保持電荷平衡，由襯底注人柵極的隧道電流也需要隨之增加，增加的倍數是柵極與柵氧面積之比，放大了損傷效應，這種現象稱為“天線效應”。對于柵注入的情況，隧道電流和離子電流之和等于電漿清洗機中總的電子電流。因為電流很大，即使沒有天線的放大效應，只要柵氧化層中的場強能產生隧道電流，就會引起等離子體損傷。
        在正常的電路設計中柵端一般都需要開孔經多晶或金屬互連線引出做功能輸入端，就相當于在薄弱的柵氧化層上引入了天線結構，所以在正常流片及WAT監測時所進行的單管器件電性測試和數據分析無法反映電路中實際的電漿清洗機損傷情況。氧化層繼續變薄到3nm以下，基本不用再考慮充電損傷問題，因為對于3nm厚度的氧化層而言，電荷積累是直接隧穿越過氧化層勢壘，不會在氧化層中形成電荷缺陷。