等離子刻蝕機機制是ICP射頻形成的輸出到環耦合線圈：
       眾所周知，一般只使用等離子蝕刻機、表面清洗和表面活化作用，今日，詳細介紹下等離子的另1個作用：刻蝕。
等離子刻蝕是什么？在半導體器件工序、微電子IC制作工序以及微納制作階段中，腐蝕是一個十分關鍵的階段。通過化學或物理方法，選擇性地移除硅片表面多余物質的階段。其基本目標是正確復制涂層硅片上的模具圖形。等離子刻蝕的分類：干蝕刻和濕蝕刻。濕蝕刻是一種純化學反應階段，利用溶液與預蝕刻材料之間的化學反應去除未覆蓋的部分，達到蝕刻的目的。干蝕的種類很多，主要有揮發性、氣相性、等離子腐蝕等。
等離子刻蝕是干法刻蝕中最常見的形式：

      等離子刻蝕機的基本原理是ICP射頻ICP射頻形成的射頻輸出到環耦合線圈，通過耦合光放電形成一定比例的混合蝕刻氣體，形成高密度等離子。在下電極RF射頻的作用下，這些等離子刻蝕機轟擊基板表面，中斷了基板圖形區域半導體材料的化學鍵，與蝕刻氣體形成揮發性物質，以氣體形式與基板分離，從真空管道中取出。

首先，在某種程度上，等離子清洗本質上是等離子刻蝕機的輕微情況。這樣，通過接入所需的蝕刻氣體，增加功率，提高工作時間，可以達到蝕刻的目的。畢竟，如果不是專業的蝕刻機，效果肯定不如專業的蝕刻機好。然而，納米級蝕刻仍然可以根據材料、功率、工作時間等處理，甚至可以達到微米級蝕刻。
        對于一些不需要經常使用蝕刻的客戶，或者蝕刻要求不高的客戶，可以用等離子刻蝕機進行蝕刻處理，只需要準備掩模板，這對于成千上萬的蝕刻機來說是十分劃算的。目前等離子刻蝕在集成電路制作廣泛使用，去除表面有機物，等離子是部分離化的中性氣體，在等離子中自由電子與中性分子，原子進行碰撞，通過碰撞電離，進一步得到更多的電子和離子。基于電子的能量，可以獲得更豐富的離子，激發態高能中性粒子等，同時由于電子吸附在中性氣體表面還可獲得負離子。由于每種氣體在原子分子物理學中有各自的能級結構，故高能電子可以將氣體激發到不同的能級上，當氣體分子、原子從高能級向低能級回遷時將會輻射出不同能量的光子，不同能量的光子代表了不同的波長。